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              中國制造2025離我們還有多遠?

              2020-04-20 09:01 與非網

              導讀:最近,長江存儲(YMTC)發布了 128 層 NAND閃存X2-6070 的樣本。

              此前,三星電子和 SK Hynix 去年生產了第一批 128 層 NAND 閃存產品,一旦 YMTC 按計劃生產 128 層產品,韓國和中國公司之間的技術差距可能會小于兩年。

              在 2015 年中國政府就宣布,中國將在 10 年內實現半導體行業的自給自足。為此,中國的投資額已達一萬億元人民幣,并且還在繼續努力。三星電子和 SK 海力士擔心中國大力投資半導體行業的這一舉動,讓其市場份額和銷售下降。

              清華紫光集團正在將其業務擴展到移動應用處理器。該公司于 2013 年收購了展訊和 RDA Microelectronics,以增強其系統芯片設計能力。清華紫光集團的 IC 設計公司 Unisoc 計劃通過臺積電生產 6 納米 5G 調制解調器和應用處理器。

              Unisoc 是應用處理器行業新銳,它的 6 納米應用處理器設計需要基于多方支持才能落地,因為目前只有少數公司,例如高通,三星電子,蘋果和華為,能夠完成相應設計。

              負責清華紫光集團 NAND 閃存業務的 YMTC,其總部和制造工廠位于武漢,在武漢封城的兩個月里,YMTC 照常運轉著工廠,沒有中國政府的協助,這是不可能的。

              三星電子和 SK Hynix 在 2019 年第四季度分別占全球 NAND 閃存市場的 35.5%和 9.6%。在此期間,中國幾乎占據了全球半導體需求的一半。去年,這兩家韓國公司在中國的銷售額分別為 380,405 億韓元和 125,702 億韓元。SK 海力士在中國的銷售額占該公司總銷售額的比例為 46%。在全球 NAND 閃存市場中,包括 YMTC 在內的中國公司可能會做出積極努力,趕上韓國公司,因為該市場的進入門檻相對低于 DRAM 市場。此外,美光科技即將生產 128 層 3D NAND 閃存產品,英特爾有望在今年內制造出業內首批 144 層 NAND 閃存產品。

              三星電子通過增加投資來應對挑戰。例如,自 2017 年以來,該公司已在其位于中國西安的第二座工廠投資了 70 億美元,并計劃增加 80 億美元的投資,一旦完成投資,該工廠每月 NAND 閃存產量(生產 90 層以上的 3D NAND 閃存芯片)將至少達到 130,000 個。SK 海力士還計劃通過增加投資來“阻止”中國公司。在過去三年中,該公司在該行業的年均投資超過 13 萬億韓元。

              實際上,中國政府的 1 萬億元投資不足以取代三星電子和 SK 海力士。從 2017 年到 2019 年,韓國公司在該行業的投資分別為 7.3 萬億韓元和 4 萬億韓元。同時,中國政府的投資約為 10 萬億韓元,為期 10 年。換句話說,中國半導體公司需要更多的財務資源。

              這就是為什么有些“專家”指出,中國公司將通過到處挖掘專業人才、稅收優惠等措施實現快速跟進策略,而中國政府將繼續支持這些公司,直到它們實現規模量產并占據相當的市場份額,例如,盡管相關芯片精度較低,但中國 PC 制造商仍使用這些公司的 DRAM 和 NAND 閃存芯片。


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